芯片是怎么实现堆叠的_芯片是怎么实现功能的
唯特偶:公司微电子材料可以用于HBM芯片堆叠和高速串行连接唯特偶在互动平台表示,公司产品可以用于HBM芯片堆叠和高速串行连接。关于供货给哪些企业,公司表示,鉴于与客户之间签署的严格保密协议,具体客户情况及合作情况请关注公司在深交所指定信息披露平台披露的定期报告或相关公告。
一、芯片是怎么实现堆叠的呢
二、芯片堆叠技术
三星申请半导体封装专利,实现芯片的高效堆叠金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装“的专利,公开号CN117637657A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种半导体封装包括:基板,包括多个通路;在基板上的芯片堆叠;以及在基板上和在芯片堆叠的至少一部分上的模层。芯还有呢?
三、芯片如何堆层的
四、芯片堆叠封装
三星申请半导体装置及其制造方法专利,实现芯片的高效堆叠金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置及其制造方法“公开号CN117637726A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种半导体装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片包括第一衬底、第一衬底的上表面上好了吧!
五、芯片叠加原理
六、芯片叠加 知乎
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三星申请半导体封装件专利,实现半导体芯片的高效堆叠金融界2024年4月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“公开号CN117810188A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半等我继续说。
七、芯片 叠加
八、芯片怎么做到多层
长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现芯片的高效堆叠芯片堆叠体,位于所述基板上;所述芯片堆叠体包括多个沿垂直于所述基板的平面的方向依次堆叠的芯片;其中,所述芯片包括第一子部和第二子部,所述第一子部的第一表面和所述第二子部的第一表面齐平,所述第一子部的第二表面凸出于所述第二子部的第二表面;所述第一表面和所述第二表小发猫。
盛科通信-U申请新专利,通过不更换交换机或者交换芯片实现扩大堆叠...其中所述报文包括堆叠头部;所述主交换机解析所述报文的堆叠头部,以获取其中的目的交换机信息;所述主交换机基于预配置的访问控制列表ACL和所述目的交换机信息,将所述报文转发至与所述目的交换机对应的第二交换机。通过该方法能够通过不更换交换机或者交换芯片实现扩大堆还有呢?
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三星申请半导体封装件专利,实现多个半导体芯片的堆叠金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“公开号CN117457617A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,一种半导体封装件包括:第一半导体芯片;多个第二半导体芯片,其堆叠在所述第一半导体芯片上并且具有比所述第一半导体说完了。
三星申请半导体封装专利,能实现芯片堆叠与衬底焊盘的接合该衬底在衬底的顶表面上具有第一沟槽;以及在衬底上的芯片堆叠,包括半导体芯片。第一半导体芯片的芯片焊盘接合到衬底的衬底焊盘,该第一半导体芯片是半导体芯片中的最下半导体芯片。芯片焊盘和衬底焊盘由相同的金属材料形成。当在平面图中观察时,第一沟槽与第一半导体芯片好了吧!
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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现芯片堆叠体通过多个...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法“公开号CN117790445A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法,其中,所述半导体结构包括:基板;芯片堆叠体,通过是什么。
三星取得CN107689359B专利,实现多个半导体芯片堆叠结构中的每一...金融界2024年2月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“包括具有嵌入芯片的再布线层的半导体封装件“授权公告号CN107689359B,申请日期为2017年5月。专利摘要显示,本发明提供了一种半导体封装件,其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以后面会介绍。
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