芯片是怎么实现多层堆叠的
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唯特偶:公司微电子材料可以用于HBM芯片堆叠和高速串行连接唯特偶在互动平台表示,公司产品可以用于HBM芯片堆叠和高速串行连接。关于供货给哪些企业,公司表示,鉴于与客户之间签署的严格保密协议,具体客户情况及合作情况请关注公司在深交所指定信息披露平台披露的定期报告或相关公告。
电子堆叠新技术造出多层芯片美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量,从而推动人工智能(AI)硬件发展更加高效。通过这种新方法,团队成功制造出了多层芯片,其中高质量半导体材料层交替生长,直接叠加在一起。
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通富通科取得倒装芯片及多层堆叠芯片封装结构专利,提高芯片的可靠性金融界2024年10月17日消息,国家知识产权局信息显示,通富通科(南通)微电子有限公司取得一项名为“一种倒装芯片及多层堆叠芯片封装结构”的专利,授权公告号CN 221841838 U,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种倒装芯片及多层堆叠芯片封装结构,该倒装等我继续说。
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三星申请半导体封装专利,实现芯片的高效堆叠金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装“的专利,公开号CN117637657A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种半导体封装包括:基板,包括多个通路;在基板上的芯片堆叠;以及在基板上和在芯片堆叠的至少一部分上的模层。芯后面会介绍。
三星申请半导体装置及其制造方法专利,实现芯片的高效堆叠金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置及其制造方法“公开号CN117637726A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,一种半导体装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片包括第一衬底、第一衬底的上表面上小发猫。
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力积电:多层晶圆堆叠技术获AMD采用 开发3D AI芯片力积电今日宣布,旗下多层晶圆堆叠技术获AMD等大厂采用,结合晶圆代工大厂的先进逻辑制程,开发高频宽、高容量、低功耗的3D AI芯片。
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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现芯片的高效堆叠芯片堆叠体,位于所述基板上;所述芯片堆叠体包括多个沿垂直于所述基板的平面的方向依次堆叠的芯片;其中,所述芯片包括第一子部和第二子部,所述第一子部的第一表面和所述第二子部的第一表面齐平,所述第一子部的第二表面凸出于所述第二子部的第二表面;所述第一表面和所述第二表小发猫。
三星申请半导体封装件专利,实现半导体芯片的高效堆叠金融界2024年4月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“公开号CN117810188A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半小发猫。
...存储申请半导体结构及其制备方法专利,实现多个芯片沿一方向依次堆叠所述半导体结构包括:多个芯片,多个所述芯片沿第一方向依次堆叠,所述第一方向为垂直于所述芯片的平面的方向;每个所述芯片包括:基底;n个第一导电结构,沿第一方向贯穿所述基底,所述n大于或等于2;其中,在所有芯片内的至少一组相对应的第一导电结构中,相邻两层所述芯片内的该组所后面会介绍。
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紫光国芯取得一种 3D 堆叠芯片专利,实现了 3D 堆叠集成逻辑芯片硬核 ...设置于基底层靠近硬核IP 器件模块的一侧,硅通孔通过金属传输层形成的传输网络连接硬核IP 器件模块。本实用新型通过硅通孔以及金属传输层形成的传输网络形成了先自下至上、再自上至下传输电和信号的方式,实现了3D 堆叠集成逻辑芯片硬核IP 器件模块的供电接入和信号接入。..
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