什么是电容的电场效应

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...龙驰半导体科技申请电容耦合栅控结型场效应晶体管专利,解决现有的...且两个第一介质区之间具有间隔;两个耦合电容上电极,分别形成在两个第一介质区内;肖特基接触的源极金属填充在两个第一介质区之间的间隔处,肖特基接触的源极金属和外延层形成肖特基二极管单元。本申请至少解决了现有的电容耦合栅控结型场效应晶体管的反向恢复特性不足的技是什么。

苏州龙驰申请垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管专利,解决传统...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管”的专利,公开号CN 118983342 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管,包括等会说。

苏州龙驰半导体科技申请垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,苏州龙驰半导体科技有限公司申请一项名为“垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效应晶体管及其制备方法”的专利,公开号CN 119029041 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请提供了一种垂直沟槽型电容耦合栅控结型场效还有呢?

美光科技取得铁电电容器等相关专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法”的专利,授权公告号CN 113644194 B,申请日期为2016年11月。

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