什么是电阻值漂移_什么是电阻讲解视频

...增加漂移区的有效长度,在同样的击穿电压下实现更小的特征导通电阻栅由外延层表面延伸至第一介质槽下部,栅氧化层将控制栅和屏蔽栅、控制栅和外延层隔开。本发明采用两个介质槽的结构使漂移区的形貌不再是直线,而形成折线(V型或凹型)形貌的漂移区,可以增加漂移区的有效长度,在同样的击穿电压下实现更小的特征导通电阻。本文源自金融界

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华为公司取得半导体器件及制造方法专利,实现具有低导通电阻,高可靠...减少元胞漂移区尺寸,增加漂移区浓度,减少漂移区电阻,缩小元胞尺寸。该器件可以基于传统的分离槽栅MOS工艺或者单片集成BCD工艺技术实现,制造工艺简单,制造成本低。如此,本申请可以基于传统低成本制造技术,实现具有低导通电阻,高可靠性的双向耐压的MOS型开关器件。此外,本是什么。

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泰科天润取得低源极接触电阻平面栅碳化硅 MOSFET 专利,降低器件...有限公司取得一项名为“一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET”的专利,授权公告号CN 221861582 U,申请日期为2024 年1 月。专利摘要显示,本实用新型提供一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET;包括:一碳化硅衬底,一漂移层,所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面后面会介绍。

北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利,提高GaN HEMT的动态稳定性该欧姆接触电极至少与第一耗尽型器件或电阻相连。在器件开启过程中,欧姆接触电极的存在能够消除阈值电压漂移,在栅极电压进一步增大时,由第一耗尽型器件或电阻承受过高的栅极电压,有效抑制栅极电流;且栅极互连金属与欧姆接触电极之间通过介电层形成一个大电容,从而提高栅极还有呢?

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