芯片是不是二氧化硅
阿石创:公司产品包括二氧化硅、五氧化二钽等,可应用于光通信行业,...公司有用于存储芯片的靶材么?公司回答表示:公司产品可广泛应用于光学光通信、平板显示、节能玻璃、半导体、光伏等行业,其中可应用于光通信行业的产品有二氧化硅、五氧化二钽、五氧化三钛等,其中可应用于5G通信产品有氧化钽、金属钽、金属铪等,可应用于存储芯片的产品有铜是什么。
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凯盛科技:在建5000吨合成二氧化硅项目部分工序设备启动调试,近日可...金融界11月26日消息,有投资者在互动平台向凯盛科技提问:公司是华为海思半导体的供货商吗?具体都有哪些合作呢?公司回答表示:公司在建的5000吨合成二氧化硅主要目标市场是芯片的抛光材料、半导体用封装材料和制作材料、石英坩埚等,项目部分工序设备已经开始启动调试,近日可等会说。
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三选科技申请高流动性底部填充胶相关专利,提高芯片封装效率和封装...其制备方法和倒装芯片”的专利,公开号CN 118772819 A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本发明提供了一种高流动性的底部填充胶、其制备方法和倒装芯片,底部填充胶以质量百分比包括以下组分:改性二氧化硅56%~66%,环氧树脂19%~25%,固化剂15%~18%,碳黑0.1%~0.2等我继续说。
苏州固锝取得一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺专利,电极...苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺“授权公告号CN110061066B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺,步骤包括:在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除第一二氧化硅薄还有呢?
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凌玮科技:暂未涉及玻璃芯片的合作发展金融界4月29日消息,有投资者在互动平台向凌玮科技提问:董秘你好!据央视报道.玻璃芯片的玻璃晶圆代替传统的硅晶圆.而贵公司的纳米二氧化硅在玻璃上有应用.我想问的是.贵公司有在这方面寻求合作发展吗?公司回答表示:暂未涉及。本文源自金融界AI电报
苏州固锝获得发明专利授权:“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的...专利名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”,专利申请号为CN201910358286.3,授权日为2024年2月9日。专利摘要:一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺,步骤包括:在硅片衬底表面形成第一二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除第一二氧化硅薄膜层的一第一区域;对第一区等会说。
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三祥新材:积极开展“锆铪分离”技术攻关,力争尽快实现技术突破并...金融界10月31日消息,有投资者在互动平台向三祥新材提问:董秘,公司的氧氯化锆项目规模在全球处于领先地位,氧氯化锆产品通过“锆铪分离”技术,可生产高纯氧化铪产品,铪是重要的金属元素,在最新一代半导体(比如三星和海力士DRAM存储芯片)中全面替代二氧化硅作为高K(介电常数等会说。
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凯盛科技:合成石英砂项目带料试生产已启动,主要目标市场涉及芯片...其中高纯二氧化硅原料是否有计划生产“用于光刻机高档掩膜板石英玻璃”因为掩膜板高纯石英玻璃“其每平米价格很贵,且稀缺,更重要可解决”卡脖子“难题。谢谢!公司回答表示:公司合成石英砂项目近日已启动带料试生产,主要目标市场是芯片的抛光材料、半导体用封装材料和制作好了吧!
苏州固锝取得一种四颗二极管集成芯片的制造工艺专利,该专利技术能...苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110060934B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,一种四颗二极管集成芯片的制造工艺;步骤包括:在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除上、下表面第一二氧化硅后面会介绍。
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苏州固锝取得一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺专利,该专利...苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110112130B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺;步骤为:在硅片衬底上、下表面均形成第一二氧化硅薄膜层;刻蚀并去除上、下表面第一二说完了。
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