ito_itouch

浙江日久申请低方阻ITO膜及其制备方法专利,降低了ITO膜的方阻金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,浙江日久新材料科技有限公司申请一项名为“低方阻ITO膜及其制备方法”的专利,公开号CN 119040804 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种低方阻ITO膜及其制备方法,低方阻ITO膜包括基材、上涂布层、下等我继续说。

(^人^)

...改性多层透明导电薄膜专利,省去对ITO薄膜的真空退火工艺并降低成本包括依次沉积于基体表面的ITO层、SnOx层。所述ITO层的厚度为30‑50 nm,SnOx层的厚度为30‑50 nm。本发明在异质结电池半成品表面制备一层SnOx,由于氧化锡具有较好的耐蚀性,无需退火操作也能保证耐蚀性,可以省去对ITO薄膜的真空退火工艺,同时SnOx材料价格低,可以有效降还有呢?

╯▽╰

映日科技取得ITO旋转靶材制备专利,提高ITO靶材强度金融界2024年7月28日消息,天眼查知识产权信息显示,芜湖映日科技股份有限公司取得一项名为“一种制备太阳能电池行业ITO旋转靶材的方法“授权公告号CN116332637B,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,本发明属于ITO靶材制造的技术领域,涉及一种制备太阳能电池行业ITO旋转说完了。

映日科技申请用于ITO靶材烧结炉的挥发物回收循环利用专利,实现减少...金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,芜湖映日科技股份有限公司申请一项名为“一种用于ITO靶材烧结炉的挥发物回收循环利用系统”的专利,公开号CN 119022671 A ,申请日期为2024 年9 月。专利摘要显示,本发明涉及烧结炉技术领域,具体涉及一种用于ITO靶材烧等我继续说。

先导薄膜材料取得ITO平面靶及其相关专利金融界2024年11月21日消息,国家知识产权局信息显示,先导薄膜材料(广东)有限公司取得一项名为“一种ITO平面靶及其烧结方法和烧结装置”的专利,授权公告号CN 115896724 B,申请日期为2022年12月。

威海华浦电子申请ITO透明导电膜玻璃制备专利,优化膜导电性和透过性金融界2024年9月28日消息,国家知识产权局信息显示,威海华浦电子科技有限公司申请一项名为“一种ITO透明导电膜玻璃的制备方法”的专利,公开号CN 118703966 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明涉及一种ITO透明导电膜玻璃的制备方法,该ITO透明导电膜玻璃的制备方是什么。

●﹏●

华秦科技申请一种 ITO 粉体的制备方法专利,制备的 ITO 粉体导电性优异金融界2024 年8 月14 日消息,天眼查知识产权信息显示,陕西华秦科技实业股份有限公司申请一项名为“一种ITO 粉体的制备方法“公开号CN202410555865.8,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示,本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种ITO粉体的制备方法,包括将设定比例的等会说。

˙^˙

ˇωˇ

日久光电申请非结晶 ITO 导电膜及其制备方法专利,提高导电膜的显示...金融界2024 年9 月18 日消息,天眼查知识产权信息显示,江苏日久光电股份有限公司申请一项名为“非结晶ITO 导电膜及其制备方法“公开号CN202410929930.9 ,申请日期为2024 年7 月。专利摘要显示,本发明公开了一种非结晶ITO 膜及其制备方法,该非结晶ITO 导电膜包括基材层后面会介绍。

●▽●

阿石创申请一种快速测试ITO靶材晶粒粒度的金相检测方法及其应用...金融界2024 年9 月11 日消息,天眼查知识产权信息显示,福建阿石创新材料股份有限公司申请一项名为“一种快速测试ITO靶材晶粒粒度的金相检测方法及其应用“公开号CN202410750515.7 ,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明提供了一种快速测试ITO靶材晶粒粒度的金说完了。

长信科技申请一种改善 ITO 薄膜刻蚀残留的工艺方法专利,有效改善 ...金融界2024 年9 月4 日消息,天眼查知识产权信息显示,芜湖长信科技股份有限公司申请一项名为“一种改善ITO 薄膜刻蚀残留的工艺方法“公开号CN202410603558.2,申请日期为2024 年5 月。专利摘要显示,本发明属于半导体显示器件技术领域的改善ITO 薄膜刻蚀残留的工艺方法小发猫。

原创文章,作者:上海墨悉特网络科技有限公司,如若转载,请注明出处:http://safej.cn/529se4bs.html

发表评论

登录后才能评论